新闻标明三星无望从其第10代NAND开端采取长江存储的专利混杂键合技巧。此前新闻标明，长江存储曾经开端出货第五代3D TLC NAND闪存，共有294层，以及232个有源层，应用了Xtacking 4.0架构，胜利地将密度进步到行业雷同的程度，实现了最高的垂直栅密度。只管长江存储此前并未公然表露新架构以及新款闪存的信息，然而现在曾经正式上市开售的新款致态TiPro9000 PCIe 5.0 SSD曾经确认搭载该款新架构闪存，也成为了国产存储的里程碑时辰。而据外媒新闻标明，三星无望从其第10代NAND开端采取长江存储的专利混杂键合技巧。长江存储四年前率先将“晶栈（Xtacking）”架构混杂键合技巧利用于3D NAND闪存，随同着技巧开展，长存也在这一技巧上积聚了大批专利。三星在之前的NAND闪存里采取了COP（Cell-on-Periphery）构造，将外围电路放在一块晶圆上，而后单位重叠在下面，不外当层数超越400层时，上层外围电路的压力会影响牢靠性。改用混杂键合技巧后，打消了对凸块的需要，收缩了电路，从而进步了机能跟散热性。三星的目的是在2025年下半年开端量产第10代V-NAND闪存，估计总层数到达420层至430层。别的，风闻SK海力士也正在与长江存储停止专利协定的会谈。据懂得，现在Xperi、长江存储、以及台积电领有年夜少数混杂键合技巧的专利。三星之以是抉择与长江存储配合，很年夜水平上是由于接上去的第11代跟第12代V-NAND闪存都很难绕当时者的专利，SK海力士可能面对雷同的处境。